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首頁歐美晶振 ECLIPTEK晶振美國日蝕石英晶振EB3250,EB3250JA12-16.000M-TR水晶振動子

美國日蝕石英晶振EB3250,EB3250JA12-16.000M-TR水晶振動子

編號：59324563
頻率：16MHZ
尺寸：5.0*3.2mm

美國日蝕石英晶振EB3250,EB3250JA12-16.000M-TR水晶振動子,Ecliptek晶振,歐美進口晶振,石英晶體,石英晶體諧振器,無源晶振,音叉晶體,輕薄型晶振,型號EB3250,編碼EB3250JA12-16.000M-TR是一款金屬面貼片型的SMD晶振,尺寸...

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美國日蝕石英晶振EB3250,EB3250JA12-16.000M-TR水晶振動子,Ecliptek晶振,歐美進口晶振,石英晶體,石英晶體諧振器,無源晶振,音叉晶體,輕薄型晶振,型號EB3250,編碼EB3250JA12-16.000M-TR是一款金屬面貼片型的SMD晶振,尺寸為5032mm.頻率為16MHZ,采用高超的生產技術制作而成,具備高性能,高質量的特點,廣泛用于無線設備,智能產品等領域.

EB3250YA12-12.000M-TR貼片晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內進行封裝.1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術為研發(fā)及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.美國日蝕石英晶振EB3250,EB3250JA12-16.000M-TR水晶振動子

EB3250JA12-16.000M-TR晶振參數表

Ecliptek晶振	單位	EB3250晶振	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	16MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C～+125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C～+85°C	標準溫度
激勵功率	DL	1.0μW Max.	推薦:100μW ～ 300μW
頻率公差	f_— l	±15ppm	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息, http://www.wftv100.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30× 10^-6	超出標準的規(guī)格請聯系我們.
負載電容	C	12pF	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	60 Ohms	-10°C— +60°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

美國日蝕石英晶振EB3250,EB3250JA12-16.000M-TR水晶振動子 尺寸圖

EB3250JA12-16.000M-TR晶振使用注意事項
保管

保管在高溫多濕的場所可能會導致進口石英晶體端子軟焊性的老化.請在沒有直射陽光,不發(fā)生結露的場所保管.

負載電容

振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容).

晶體振蕩器和實時時鐘模塊

所有石英晶體諧振器和實時時鐘模塊都以IC形式提供.美國日蝕石英晶振EB3250,EB3250JA12-16.000M-TR水晶振動子

熱影響

重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的無源石英晶體的產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況

安裝方向

進口晶體振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致有源晶體無法產生振蕩和/或非正常工作.貼片晶振的軟焊溫度條件被設計成可以和普通電子零部件同時作業(yè),但如果是超過規(guī)格以上的高溫,則頻率有可能發(fā)生較大的變化,因此請避免不必要的高溫度.有關SMD晶振產品的回流焊焊接溫度描述,請參照“表面貼裝型晶體產品的回流焊焊接溫度描述”. 美國日蝕石英晶振EB3250,EB3250JA12-16.000M-TR水晶振動子

清洗

關于一般清洗液的使用以及超聲波清洗沒有問題,但這僅僅是對單個進口石英晶體產品進行試驗所得的結果,因此請根據實際使用狀態(tài)進行確認.由于音叉型石英晶體諧振器的頻率范圍和超聲波清洗機的清洗頻率很近,容易受到共振破壞,因此請盡可能避免超聲波清洗.若要進行超聲波清洗,必須事先根據實際使用狀態(tài)進行確認.

ECLIPTEK晶振公司在"制造、使用、有效利用、再利用"這樣一個產品生命周期中,努力創(chuàng)造豐富的價值,給社會帶來溫馨和安寧,感動和驚喜,同時為減少環(huán)境影響,努力做好"防止地球變暖、有效利用資源、對化學物質進行管理",實現與地球的和諧相處.

ECLIPTEK晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質,減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).日蝕晶振集團實施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展.實施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實現節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標.

致力于環(huán)境保護,包括預防污染.在貼片石英晶振產品的規(guī)劃到制造、運行維修等整個過程中,努力提供環(huán)保型的產品和服務.在業(yè)務活動中,努力節(jié)約資源并節(jié)省能源,致力于減少廢棄物和再生資源的回收利用.在積極公開有關環(huán)境的信息的同時,通過支持環(huán)保活動,廣泛地為社會作貢獻.致力于保護生物多樣性和可持續(xù)利用.切實運行環(huán)境管理系統(tǒng)PDmCA（Plan-Do-multiple Check-Act）,努力提高環(huán)境性能,不斷改善運用系統(tǒng).美國日蝕石英晶振EB3250,EB3250JA12-16.000M-TR水晶振動子

ECLIPTEK日蝕晶振將確保進口石英晶體產品及相關設施滿足甚至超出國家的、以及地方環(huán)保機構的相關法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機關和其他官方組織從事的環(huán)保活動. 在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經營與生產活動中完全遵守并符合現行所有標準規(guī)范的要求.

制造商零件編號	供應商	系列	類型	頻率	頻率穩(wěn)定性	頻率容差	負載電容
EB1620JA10-27.120M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	27.12 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-20.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	20 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-19.200M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	19.2 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-26.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	26 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-27.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	27 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620YA10-24.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	24 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620YA10-26.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	26 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620YA10-24.576M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	24.576 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620YA10-25.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620YA10-32.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	32 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620YA10-27.120M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	27.12 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB3250JA12-12.000M TR	Ecliptek	EB3250	進口石英晶體	12 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB3250JA12-24.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	24 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB1620YA10-27.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	27 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620JA10-24.576M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	24.576 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-25.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	25 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620JA10-32.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	32 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB3250AYA08-8.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	8 MHz	±50ppm	±30ppm	8pF
EB1620JA10-24.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	24 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB3250JA12-10.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	10 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB3250AYA08-16.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	16 MHz	±50ppm	±30ppm	8pF
EB3250YA12-12.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	12 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB3250AYA08-10.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	10 MHz	±50ppm	±30ppm	8pF
EB3250JA12-16.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	16 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB3250YA12-16.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	16 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB3250YA12-10.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	10 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB3250YA12-24.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	24 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF

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