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Tel:0755-27838351
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QQ:632862232
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- 編號：7425137
- 頻率：6~40MHz
- 尺寸：3.2*2.5*1.2mm
suntsu晶振,STC32C晶振,VC-TCXO振蕩器
石英晶體振蕩器具有最適合于移動通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表...
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suntsu晶振,STC32C晶振,VC-TCXO振蕩器.3225mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產(chǎn)品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產(chǎn)品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
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石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).
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在2008年,我們將目光投向了精確時間模塊,并推出了3款GPS紀律的OCXO.其中之一,打破了工業(yè)界的第一個“板上安裝的單位”.在接下來的三年中,我們的產(chǎn)品線迅速增長.我們從專注于超小型晶體和VC-TCXO晶振開始,到提供各種低噪聲振蕩器和VCXO.2007年,我們進一步擴展了我們的產(chǎn)品線,包括大量高穩(wěn)定性/低噪聲OCXO,以滿足基站和軍事通信設(shè)備應用等需要晶體的最高頻率穩(wěn)定性的需求.
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| 型號 | 符號 | STC32C |
| WC | - | CMOS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 6~40MHz |
| 電源電壓 | VCC | +3.3V |
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頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±5ppm~±12ppm |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55℃~+125℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use | -40℃~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 45mA max. (fo≦170MHz) |
| 待機時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負載 | Load-R | 15pF |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.5ns max. [20~80% Output, OutputN] |
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負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內(nèi)容).
化學制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解進口SMD晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
PCB設(shè)計指導
(1)理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體振蕩器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,好使用余量或切割PCB.當應用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時,機械振動程度有所不同.建議遵照內(nèi)部板體特性
(2)在設(shè)計時請參考相應的推薦封裝.
(3)在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JISC60068-2-20/IEC60,068-2-20).來使用.
(4)請按JIS標準(JISZ3282,Pb含量1000ppm,0.1wt%或更少)來使用無鉛焊料.
操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸IC的表面.
使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)使用進口有源晶振.這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度.在高濕環(huán)境下,會由于凝露引起故障.請避免凝露的產(chǎn)生.
SUNTSU晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的.
過去SUNTSU進口晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進.
SUNTSU晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防.為環(huán)境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現(xiàn)對自然資源的保持.美國SUNTSU美國高質(zhì)量晶振將:通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì),減少能源的使用,以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的.有效利用資源,防止環(huán)境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環(huán).
通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn).遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求.根據(jù)環(huán)境方針制定環(huán)境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環(huán)境管理體系的持續(xù)改進.在我們的環(huán)境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環(huán)保意識.確保公眾環(huán)境保護活動的信息公開.
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